半导体 第5页

Intel未来两年实现2nm 1.8nm制程 台积电:N3P 3nm工艺在性能方面就可以媲美Intel 18A 感谢苹果推进先进制程的实现

Intel未来两年实现2nm 1.8nm制程 台积电:N3P 3nm工艺在性能方面就可以媲美Intel 18A

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Intel正在积极推进“四年五个制程节点”计划,将在2024-2025年搞定20A、18A工艺,分别相当于2nm、1.8nm,尤其后者预计会反超台积电,重夺领先。对此,台积电自然不会坐视不理,对自己的技术也非常自信。台积电总裁魏哲家声称,根据内部评估,台积电N3P 3nm工艺在性能方面就可以媲美In...

三星2024年初量产基于其第九代V-NAND闪存产品的产品 DRAM芯片将实现11nm级制程

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三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展,并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)称,三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产。此外,该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRA...

美国计划进一步收紧对华芯片出口措施 预计会在本周发布 阿斯麦CEO:会削弱西方

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在限制对华出口先进芯片一年后,美国计划进一步收紧相关政策,预计会在本周发布。据了解,新的措施旨在弥补去年10月限制措施的漏洞,另外试图通过其他国家运输以规避出口限制的中国企业实施额外检查,并将中国芯片设计公司列入贸易限制名单。荷兰光刻机制造商阿斯麦CEO温宁克近期表示,试图通过禁止技术移民和出口管制...

美国确认三星、SK海力士已获无限期出口豁免 价格战无法避免 你支持国产吗?

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制程或者技术不先进的,允许放行背后,必然带来的是相关产品的倾销,所以价格战必不可少。10月16日消息,美国商务部工业与安全局(BIS)公布新规,更新对三星和SK海力士的一般授权,将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”(VEUs)。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可,即可向其在华...

英特尔已于近日开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产Intel 4制程节点 大大优于Intel 7

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“英特尔中国”官方公众号周五晚间宣布,英特尔已于近日开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产 Intel 4 制程节点。官方表示,英特尔正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划,并将用于新一代的领先产品。据介绍,Intel 4 是英特尔首个采用 EUV 技术生产的制程节点,在性能、能效和晶体管密...

佳能(Canon)公司开始销售芯片生产设备FPA-1200NZ2C用于制造5nm芯片 不用光刻方案使用纳米印刷技术

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佳能(Canon)公司近日发布新闻稿,开始销售芯片生产设备 FPA-1200NZ2C,表示采用不同于复杂光刻技术的方案,可以制造 5 nm 芯片。佳能表示这套生产设备的工作原理和行业领导者 ASML 不同,并非光刻,而更类似于印刷,没有利用图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上。这套设备可...

俄罗斯圣彼得堡理工大学开发出“国产光刻复合体” 可以替代光刻机的芯片制造工具

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2023 年 3 月,俄罗斯工贸部下令开发和开发用于微电子生产的光刻材料,特别是光刻胶的生产,而该部门将为这项工作拨款 11 亿卢布(当前约 7986 万元人民币) 。据俄罗斯国际新闻通讯社报道,圣彼得堡理工大学的研究人员开发出了一种“国产光刻复合体”,可用于蚀刻生产无掩模芯片,这将使“解...