英特尔已于近日开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产Intel 4制程节点 大大优于Intel 7

“英特尔中国”官方公众号周五晚间宣布,英特尔已于近日开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产 Intel 4 制程节点。官方表示,英特尔正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划,并将用于新一代的领先产品。

英特尔已于近日开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产Intel 4制程节点 大大优于Intel 7

据介绍,Intel 4 是英特尔首个采用 EUV 技术生产的制程节点,在性能、能效和晶体管密度等方面“均实现显著提升”,EUV 技术将驱动如 AI、先进移动网络、自动驾驶及新型数据中心和云应用等算力需求最高的应用。

各制程进度具体如下:

Intel 7 和 Intel 4 已经实现大规模量产,Intel 3 正在按计划推进,目标 2023 年底量产。

采用 RibbonFET 全环绕栅极晶体管和 PowerVia 背面供电技术的 Intel 20A 和 Intel 18A 同样“进展顺利”,目标是 2024 年。

产品代号为 Meteor Lake 的英特尔酷睿 Ultra 处理器今年 12 月 14 日发布,采用 Intel 4 制程节点。

至强处理器 Sierra Forest 将于明年上半年上市,具备高能效的能效核(E-core),采用 Intel 3 制程节点

至强处理器 Granite Rapids 同样明年上半年上市,紧随 Sierra Forest 之后推出,具备高性能的性能核(P-Core)。

英特尔曾在 9 月举办的 ON 技术创新峰会上介绍了 Intel 4 工艺。

英特尔表示,与 lntel 7 相比,Intel 4 实现了两倍的面积微缩,带来了高性能逻辑库,并引入了多个创新:

简化工艺的 EUV 光刻技术

lntel 4 针对高性能计算应用进行了优化,可支持低电压(<0.65V)和高电压(>1.1V)运行。与 lntel 7 相比,intel 4 的 iso 功率性能提高了 20% 以上。

高密度 MIM(金属-绝缘体-金属)电容器实现卓越的供电性能

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