SK 海力士 CEO 郭鲁正在昨日举行的年度股东大会上表示，今年 HBM 在整体 DRAM 内存的销售占比将达到两位数，明年供应情况依旧紧张。
在回答股东为何 SK 海力士在 AI 爆火、HBM 热销的去年仍出现 9 万亿韩元（当前约 482.4 亿元人民币）净亏损的提问时，郭鲁正表示这是因为占销售额绝大部分的常规 DRAM 产品价格下滑，而 HBM 虽然火爆但去年销售额占比仅有个位数。
除了 HBM 的占比提升，这位 CEO 还称由于常规 DRAM 内存价格从去年四季度开始好转，内存业务整体盈利能力将全面改善。
而在 NAND 闪存、固态硬盘方向，郭鲁正称 SK 海力士将调整策略方向，从关注市场份额转向提升盈利能力，继续推进高利润产品组合，因为去年的大胆投资遭遇了严重亏损。
对于图像传感器 CIS 业务，SK 海力士正在进行重组，没有退出这部分业务的计划。
此外在技术层面，郭鲁正认为 HBM 内存将针对客户需求进行定制，逐渐摆脱通用标准产品的身份。韩媒 The Elec 称 SK 海力士已收到来自谷歌的定制 HBM 订单。
对于中国产能，SK 海力士方面表示已收到了升级许可，可将无锡工厂的 DRAM 工艺更新至 1a nm 制程。