韩研究所：韩国 DRAM 技术领先中国 5 年，NAND 闪存领先 2 年
据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年，NAND 闪存方面领先 2 年。该研究机构在 5 月 30 日表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）...
半导体 第23页
据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年，NAND 闪存方面领先 2 年。该研究机构在 5 月 30 日表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）...