半导体 第3页

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美向美光提起专利侵权诉讼 对方涉嫌侵犯了长江存储的8项专利 及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美向美光提起专利侵权诉讼 对方涉嫌侵犯了长江存储的8项专利

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近日,中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼,要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项 3D NAND 技术专利,并赔偿损失和诉讼费用。长江存储称,美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的 8 项专利,这些专利涉及到 3D NAND 存储器的形成方法、控制方法...

三星128层NAND产量削减40%-50% 倒逼国产长江存储涨价 SK海力士、美光已经提前涨价

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据国内媒体报道称,为了让存储价格继续上涨,三星会进一步减产,这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到,三星电子计划到明年上半年为止,将NAND生产量削减规模扩大40%-50%,此举推高了NAND价格。从今年9月起,三星已将NAND Flash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%,主要集中在128...

成熟制程不能忽视 ASML(阿斯麦)中国区总裁沈波表示:半导体先进制程7nm、3nm占比比较低 对中国未来自产绝对有信心

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全球光刻机巨头ASML(阿斯麦)全球副总裁、中国区总裁沈波接受媒体采访时表示,先进制程的光刻机固然重要,但成熟制程同样不容忽视。ASML是全球光刻机巨头,尤其先进制程光刻机只有ASML可以提供,但ASML的先进制程光刻机入华受到限制。沈波表示,整个芯片行业来说,先进制程的芯片占比比较低,目前成熟芯片...

荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)表示在中国市场明年业务非常乐观 无惧美国芯片封锁措施

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近日,荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)表示,自家在中国市场明年业务非常乐观。ASML中国区总裁沈波强调,今年阿斯麦中国的业务增长很快,预期全年中国占阿斯麦全球的营收会超过20%,对明年在中国的业务也非常的乐观。沈波表示:“我们2023年在中国的招聘是超过200人的,2024年预计业务的发展会继续带来...

三星展望HBM4内存的方向:用FinFET立体晶体管 无凸点键合(bumpless bongding)封装

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除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先,三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中,HBM4将有两个发展方向,使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从...

三星HBM3E内存单颗粒36GB等效频率可达9.8GHz带宽1-1.1225TB/s 单计算卡内存达到216GB 带宽7.35TB/s!

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在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上,三星披露了下一代HBM3E的情况,相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造,确切地说是14nm。单Die容量可达24Gb,8颗堆叠就是24GB,12颗堆叠就是36GB,相比H...