长鑫存储要造HBM内存！已经向美国、日本的供应商下单制造、组装、测试HBM内存的设备 打破韩国垄断
据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求。报道称，长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备。这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。消息人士称，早在2023年...
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群联宣布推出4款UFS主控方案 从UFS2.2入门至4.0高速旗舰手机
群联近日宣布面向全系列手机市场推出 4 款 UFS 储存方案新品。CPU中文网整理相关信息如下：PS8327：22nm UFS 2.2 主控，定位入门 5G 手机市场，最大闪存容量 256GB，搭载第六代 4KB LDPC ECC 纠错，单通道 64GB 下就可达到 UFS 2.2 满速 1000M...
MicroLED带宽、尺寸、效率重大突破 原子能信息实验室介绍如何直接在200毫米硅基板上制造LED
原子能信息实验室近日发布预告，表示将出席 1 月 31 日开幕的 2024 年美国西部光电博览会，发表两篇关于其 microLED 技术进展的论文，介绍如何制造数据速率密度更高的 LED 矩阵，以及如何减少小尺寸 LED 的效率损失。在《使用 CMOS 兼容方法与 InGaN / GaN 微型 LE...
台积电公布Q4财报 环比增加14.4% 为196.2亿美元 3nm、5nm、7nm工艺收入占比三分之二
近日，台积电（TSMC）公布了2023年第四季度业绩，显示收入达到了6255.3亿新台币（约合人民币1433.09亿元），与去年同期基本相同，环比增加14.4%。若以美元计算，收入为196.2亿美元，同比下降1.5%，环比增加13.6%，这一数字在台积电略高于预期值（188亿美元到196亿美元之间）...
台积电美国由于第一家工厂“遭受挫折” 第二座工厂遭遇“跳票” 投产延期至2027年或2028年
据彭博社报道，台积电日前宣布在美国亚利桑那州投资 400 亿美元的项目再次推迟，由原本定下的 2026 年投产延期至 2027 年或 2028 年。台积电董事长刘德音在周四（今日）的业绩说明会上表示，公司在海外的决策基于客户需求和当地政府“必要的”补贴或支持水平。据台积电计划，其美国亚利桑那州第二家...
群联展示最新PCIE5.0主控 E26 Max14um、E31T、E27T、U21读取最高14000MB/s、写入最高12000MB/s
群联（Phison）在 CES 2024 大展上，展示了包括 E26 Max14um、E31T、E27T 和 U21 等主控。E26 Max14umE26 Max14um 是 E26 的升级版，群联表示通过调整优化主控，不仅降低了功耗，还提高了速度。该公司称其读取速度超过 14,...
思特威推出其首颗5000万像素1/1.28英寸图像传感器新品-SC580XS
国产 CMOS 厂商思特威 SmartSens 今日宣布推出其首颗 5000 万像素 1/1.28 英寸图像传感器新品 —— SC580XS。此款新品是思特威继成功量产第一颗 22nm HKMG Stack 工艺的 5000 万像素 1/1.56 英寸产品 SC550XS 之后，在同一工艺...
英伟达（NVIDIA）中国“特供版”AI芯片性能大幅缩水 大厂逐渐转向国产AI芯片厂商
据国内媒体报道称，半导体制造商英伟达（NVIDIA）将恢复中国“特供版”AI芯片出货。目前美国对中国销售态度似乎有所软化，2024年第二季度将开始量产H20和其他AI芯片。报道中提到，英伟达正在开发针对中国区的“最新改良版”AI芯片，3款芯片均基于英伟达H100改良而来，以符合美国最新的技术出口管制...
大阪公立大学研究小组利用金刚石为衬底 制作出了氮化镓（GaN）晶体管 散热能力提高2倍
大阪公立大学（Osaka Metropolitan University）研究小组利用地球上导热性最高的天然材料——金刚石为衬底，制作出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热能力比传统晶体管提高了2倍以上。据悉，该晶体管不仅可以用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信等领域，还可以用于微波加热、等离子体处理等...
紫光展锐T765处理器上线：双卡双5G支持108MP高清拍照
紫光展锐悄悄在官网上线了全新的中端 5G 芯片平台 ——T765，CPU / GPU 性能提升，支持亿级像素高清拍照、4K 高清视频录制与播放，FHD + 分辨率下支持 120Hz 高刷。据介绍，紫光展锐 T765 采用 6nm EUV 工艺，拥有 2 颗 2.3GHz 的 A76 大核、6 颗 2...