三星电子今日官宣发布其首款 12 层堆叠 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的 HBM 产品。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s,产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。
“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的 HBM,而我们的新产品 HBM3E 12H 正是为了满足这种需求而设计的,” 三星电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示,“这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠 HBM 核心技术以及在人工智能时代为高容量 HBM 市场提供技术领导力而努力的一部分。”
据介绍,HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前 HBM 封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米(µm),同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。
三星的热压非导电薄膜(TC NCF)技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块(bump)改善 HBM 的热性能。在芯片键合(chip bonding)过程中,较小凸块用于信号传输区域,而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。
三星电子表示,相比 HBM3 8H,HBM3E 12H 搭载于人工智能应用后,预计人工智能训练平均速度可提升 34%,同时推理服务用户数量也可增加超过 11.5 倍。
从官方新闻稿获悉,三星已开始向客户提供 HBM3E 12H 样品,预计于今年下半年开始大规模量产。