SK海力士因AI爆火HBM今年销售额将占整体内存逾10% 明年供应继续紧张
SK 海力士 CEO 郭鲁正在昨日举行的年度股东大会上表示，今年 HBM 在整体 DRAM 内存的销售占比将达到两位数，明年供应情况依旧紧张。在回答股东为何 SK 海力士在 AI 爆火、HBM 热销的去年仍出现 9 万亿韩元（当前约 482.4 亿元人民币）净亏损的提问时，郭鲁正表示这是因为占销售额...
内存
三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM：12层堆叠 对比前代带宽和容量上提升超过50%
三星电子今日官宣发布其首款 12 层堆叠 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的 HBM 产品。三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s，产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带...
长鑫存储要造HBM内存！已经向美国、日本的供应商下单制造、组装、测试HBM内存的设备 打破韩国垄断
据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求。报道称，长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备。这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。消息人士称，早在2023年...
iPhone 16将全系搭载8GB内存、支持Wi-Fi 6E 那么iPhone 15系列内存各是多大？
海通国际技术分析师Jeff Pu表示，苹果下一代产品iPhone 16将全系标配8GB“大”内存、并且支持Wi-Fi 6E。Jeff Pu称，今年的iPhone 16和iPhone 16 Plus机型也将升级至8GB内存，多任务处理性能将得到提升，具体为：iPhone 15系列：iPhone 15:...
得益于AI计算卡大量使用HBM内存 SK海力士DRAM市场占用率已达35% 达历史最高点
随着 HBM 内存在人工智能时代的重要性不断增加，DRAM 行业已开始逐渐朝着以质量为中心的赢家通吃的格局转变。市场研究公司 Omdia 的最新分析显示，SK 海力士今年第三季度的 DRAM 市场占有率已达 35%。Omdia 高级分析师 Jung Sung-kong 表示，由于生成式人工...
十铨科技推出散热片由回收铝制成的VULCAN ECO DDR5“绿色内存”
十铨科技推出VULCAN ECO DDR5内存，此次推出内存的散热片是由回收铝制成，可以称为“绿色内存”。据介绍，每1万个回收铝制成的VULCAN ECO DDR5散热马甲可减少73%碳排放量，等同于可以减少1665公斤的碳排放量。经过计算，相当于减少约55万张纸巾、31万支塑料吸管、3万个塑料袋及...
SK海力士开始向客户供应LPDDR5T内存 传输速度9.6Gbps 天玑9300已完成性能验证
SK海力士宣布，开始向客户供应LPDDR5T内存，运行速度可达每秒9.6Gbps，遥遥领先普通DRAM。据悉，相比于之前的LPDDR5X内存，LPDDR5T的速度提高了13%，为了强调其高速特性，所以命名的时候在规格名称最后加上了“T”作为后缀。根据国际半导体标准化组织（JEDEC）规定，LPDDR...
三星展望HBM4内存的方向：用FinFET立体晶体管 无凸点键合(bumpless bongding)封装
除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从...
三星HBM3E内存单颗粒36GB等效频率可达9.8GHz带宽1-1.1225TB/s 单计算卡内存达到216GB 带宽7.35TB/s！
在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比H...
韩国媒体今天18日消息 三星交付HBM3E内存样品 带宽1.2TB/S 单颗粒8层24GB
根据韩国媒体今天的报道，三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销，其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。由于其性能优势，HBM通常被认为是人工智能时代...