三星发布其首款36GB HBM3E 12H DRAM：12层堆叠 对比前代带宽和容量上提升超过50%
三星电子今日官宣发布其首款 12 层堆叠 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的 HBM 产品。三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s，产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带...
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三星冻结半导体部门总裁以下高管的工资以应对2023年的巨亏
三星电子近日宣布，由于亏损创新高，决定冻结半导体部门（DS）总裁以下高管的工资。这也是自2015年来，三星电子首次冻结高管薪资。三星电子解释称：“管理层和高管已达成共识，现在迫切需要采取特别措施并以身作则，以应对日益恶化的业务业绩。”“冻薪”意味着工资被暂时或长期停止调整、提高或递增，这种措施由雇主...
三星电子会长李在镕因涉嫌在股市中违规被检方求刑5年
据央视新闻报道，韩国首尔中央地方法院对三星不当合并与会计造假案进行了一审判决前的最后一次庭审，三星电子会长李在镕当天出席了庭审。检方在 17 日的庭审中指出，考虑到李在镕否认指控、身为决策者、实际利益归属方等因素，要求法院对其判处 5 年有期徒刑、罚款 5 亿韩元（当前约 279 万元人民币）。李在...
三星斩获AMD部分订单 4nm工艺为其生产基于Zen 5c架构的处理器 良品率达到75%
根据 DigiTimes 报道，三星公司已经斩获 AMD 订单，负责使用其 4nm 工艺，为 AMD 生产基于 Zen 5c 架构的处理器。韩媒 Chosun Biz 从其它渠道也报道了这笔交易。如果三星和 AMD 的交易属实，那么标志着 AMD 调整了制造战略，将订单分配给台积电和三星两家公司，实...
三星T5 Evo 8TB移动SSD 首发3599元 采用USB 3.2 Gen 1接口 传输速度460MB/s 重102g
三星昨晚发布了 T5 Evo 移动 SSD，现已上架京东，2TB 首发 999 元，4TB 首发 1799 元，8TB 首发 3599 元。三星 T5 Evo 移动 SSD 介绍如下：该系列移动 SSD 可选 2TB、4TB 和 8TB 容量，采用 USB 3.2 Gen 1 接...
三星计划明年将NAND闪存芯片报价再涨20% 表示是为了稳定行业价格
据媒体报道，在本季度将NAND闪存芯片报价调涨10%至20%之后，三星计划明年一季度与二季度再次逐季调涨20%。三星表示，此举是为了努力稳定NAND价格、达成明年上半年逆转市场等目标的一系列行动。根据近日三星向客户公布的四季度官价，移动DRAM合约价环比涨幅在11%-25%左右。NAND闪存方面，U...
三星T9移动固态硬盘读写传输性能怎么样？容量能自己随意升级扩容吗？
随着iPhone15系列充电数据传输接口换成Type-c，iPhone 15 Pro/Max搭载的苹果A17 Pro芯片内含专门的USB 3模块，使其成第一款具备USB 3速度的iPhone手机。有很多摄影和拍高清4K视频的爱好者在手机容量不够的情况下急需一款在容量和存储速度兼顾的移动存储设备。三星...
三星展望HBM4内存的方向：用FinFET立体晶体管 无凸点键合(bumpless bongding)封装
除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从...
三星HBM3E内存单颗粒36GB等效频率可达9.8GHz带宽1-1.1225TB/s 单计算卡内存达到216GB 带宽7.35TB/s！
在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比H...
三星最新GDDR7显存信息 待机功耗比GDDR6低50% 性能提升40% 带宽最高2048GB/秒
三星于 2022 年 10 月正式发布 GDDR7 显存，时隔 1 年，三星在圣何塞举办的存储技术日上，再次更新介绍了 GDDR7 显存。三星在新闻稿中表示，在过去 1 年中不断改善 GDDR7 显存的动态功耗，而且通过额外的时钟控制，待机功耗要比 GDDR6 低 50%。三星官方表示，与目前最快的...