据媒体报道,在本季度将NAND闪存芯片报价调涨10%至20%之后,三星计划明年一季度与二季度再次逐季调涨20%。
三星表示,此举是为了努力稳定NAND价格、达成明年上半年逆转市场等目标的一系列行动。
根据近日三星向客户公布的四季度官价,移动DRAM合约价环比涨幅在11%-25%左右。
NAND闪存方面,UFS4.0涨幅约2%,eMCP、uMCP涨幅不等,平均涨幅20%以上,最高涨幅高达66%。
三星涨价的底气主要还是来自于其减产计划,在10月31日的财报会议上,三星执行副总裁直言,“三星接下来的减产行动,将比目前DRAM缩减产出的规模更大。”
这也意味着,目前三星在积极提高报价的同时,也通过持续减产来控制市场供给量。
作为全球存储芯片的龙头企业,三星带头涨价也将会使整体市场价格上涨。
此外,随着主要厂商减产,以及终端厂商需求的复苏,NAND闪存预计在今年四季度开始价格反弹,并开启新一轮上涨周期。