根据韩国媒体今天的报道，三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销，其有望追上SK海力士在该领域的步伐。
HBM属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。由于其性能优势，HBM通常被认为是人工智能时代的DRAM内存。
HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。
据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。
与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）
HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。
由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。