三星HBM3E内存单颗粒36GB等效频率可达9.8GHz带宽1-1.1225TB/s 单计算卡内存达到216GB 带宽7.35TB/s！
在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比H...
HBM3E
韩国媒体今天18日消息 三星交付HBM3E内存样品 带宽1.2TB/S 单颗粒8层24GB
根据韩国媒体今天的报道，三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销，其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。由于其性能优势，HBM通常被认为是人工智能时代...