美光

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美向美光提起专利侵权诉讼 对方涉嫌侵犯了长江存储的8项专利 及到3D NAND存储器的形成方法、控制方法、直通阵列接触 (TAC)、读取方法和多层堆叠方法等

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美向美光提起专利侵权诉讼 对方涉嫌侵犯了长江存储的8项专利

半导体

近日,中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼,要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项 3D NAND 技术专利,并赔偿损失和诉讼费用。长江存储称,美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的 8 项专利,这些专利涉及到 3D NAND 存储器的形成方法、控制方法...

美光7500系列SSD出货 面向数据中心存储 采用232层3D TLC NAND闪存

电脑硬件

美光正式推出了7500系列SSD,主要面向数据中心存储应用,包括了云服务器和企业服务器,是全球目前唯一搭载200+层NAND闪存的主流数据中心SSD。据悉,新款SSD改用了232层3D TLC NAND闪存芯片,具有低于1ms的服务质量(QoS)延迟,延迟时间也会更低,同时顺序和随机读写性能更高。同...

日本经济产业省正在将对美光广岛EUV晶圆厂补贴增加至12.9亿美元

半导体

据《日经新闻》报道,日本经济产业省正在将对美光广岛工厂的补贴从 3.2 亿美元增加到 12.9 亿美元(IT之家备注:当前约 94.17 亿元人民币),以加强国内半导体供应链。对于日本政府来说,这笔款项是更大计划的一部分,该计划包括向各种芯片公司投资数十亿日元,旨在增强日本的半导体实力。报道获悉,美...

美光计划在印度设立更多半导体芯片部门

半导体

据《Mint》,印度电子和信息技术部部长 Rajeev Chandrasekhar 称美光除了拟议中的制造部门之外还打算在印度建立多个半导体组装和封装部门,美光将长期看好印度市场。这位部长表示,美光在印度的投资刺激了那些观望者态度的转变;因此,确保该公司的第一家工厂尽快投入运营符合政府的利益。美光...

美光HBM3 Gen 2内存现已向客户出样品 带宽可达1.2TB/s

电脑硬件

据 Tom's Hardware 报道,美光今日宣布其 HBM3 Gen 2 内存正在向客户提供样品。美光称其 HBM3 Gen 2 内存是世界上速度最快的,具有 1.2 TB / s 的聚合带宽,8 高堆叠容量为 24GB。未来还有 12 高堆叠版本,容量可达 36GB。美光称其新内存是最...

美光2550 SSD采用232层NAND 读取速度可达 5000MB/s

电脑硬件

美光日前宣布已向全球个人电脑原始设备制造商客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光 2550 NVMe 固态硬盘。现在,美光官网已公布该系列 SSD 的详细参数。该系列 SSD 采用的是 TLC 颗粒,使用 PCIe 4.0 协议,1TB 版本顺序读取速度为 5000MB/s,顺序写入速...

美光发布世界首款1.5 TB microSD卡,使用176层NAND闪存芯片

电脑硬件

美光宣布正在向客户提供世界上容量最大的 microSD 卡 i400 样品,其容量达到前所未有的 1.5 TB,搭载 176 层 3D NAND,专为工业级视频安全而设计。据介绍,1.5TB 的高容量可在本地存储长达 4 个月视频,高容量消除了将数据持续上传到云进行存储的需要。官方称,与市场上大多数...