英伟达RTX 50系列显卡GB200系列GPU将采用台积电3nm工艺和GDDR7显存

据可靠爆料人 kopite7kimi 消息,英伟达 RTX 50 系列显卡所采用的 GB200 系列 GPU 将采用台积电 3nm 工艺。

英伟达RTX 50系列显卡GB200系列GPU将采用台积电3nm工艺和GDDR7显存

英伟达当前的 RTX 40 显卡采用“TSMC 4N”工艺,没有说明具体是几 nm 工艺,有报道称是定制的 5nm 工艺。英伟达官方表示,在 TSMC 4N 定制工艺技术加持下,RTX 40 系列 GPU 实现了高达 2 倍的性能功耗比飞跃。

除了新工艺外,消息称 RTX 50 系列显卡将采用 GDDR7 显存,最高支持 384bit 位宽,接口包括 HDMI 和 DP 2.1,支持通过 PCIe 5.0 连接,供电采用改进版 12V-2x6 16pin 接口,发布时间可能是 2024 年底或 2025 年。

版权声明

本文仅代表作者观点,不代表本站立场。

上一篇:三星斩获AMD部分订单 4nm工艺为其生产基于Zen 5c架构的处理器 良品率达到75%

下一篇:继裁撤大陆研发团队 Marvell美满电子裁撤台湾地区SSD部门