三星电子成功开发出首款采用12纳米nm 16Gb DDR5 DRAM 功耗降低约23%

三星电子今日宣布,已成功开发出其首款采用 12 纳米(nm)级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM,并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。

三星电子成功开发出首款采用12纳米nm 16Gb DDR5 DRAM 功耗降低约23%

▲ 图自三星电子,下同

三星表示,这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。

三星数据显示,结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款 DRAM 拥有三星最高的 Die 密度(Die density),可使晶圆生产率提高 20%。

基于 DDR5 最新标准,三星 12nm 级 DRAM 将解锁高达 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度,这意味着一秒钟内处理两部 30GB 的超高清(UHD)电影。

三星电子成功开发出首款采用12纳米nm 16Gb DDR5 DRAM 功耗降低约23%

能效方面,与上一代三星 DRAM 产品相比,12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。

随着 2023 年新款 DRAM 量产,三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。

版权声明

本文仅代表作者观点,不代表本站立场。

上一篇:美光2550 SSD采用232层NAND 读取速度可达 5000MB/s

下一篇:AMD超低压CPU Zen3架构锐龙7030U系列处理器参数