据 AnandTech 消息,美光科技在本周的财报电话会议上表示,正在出样 128 GB DDR5 内存模块,采用美光今年早些时候发布的 32 Gb DDR5 内存芯片。
据报道,美光的 32 Gb DDR5 芯片采用该公司的 1β (1-beta) 制造工艺,目前官方暂未透露其速度和功耗信息。32 Gb DDR5 芯片为单条 128 GB 的服务器内存条铺平了道路,也使得生产 1 TB 容量的内存模块成为可能,
此前报道,三星今年 9 月 1 日宣布采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术,开发出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM,可以研发出实现 1TB 内存模组的解决方案。功耗方面,使用三星的 32Gb DDR5 芯片封装的 128GB 内存模组相比上一代功耗降低了约 10%。三星全新 12 纳米级 32Gb DDR5 DRAM 计划于今年年底开始量产。