12nm

三星电子成功开发出首款采用12纳米nm 16Gb DDR5 DRAM 功耗降低约23%

电脑硬件

三星电子今日宣布，已成功开发出其首款采用 12 纳米（nm）级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。▲ 图自三星电子，下同三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的...