三星 第2页

三星2024年初量产基于其第九代V-NAND闪存产品的产品 DRAM芯片将实现11nm级制程

半导体

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRA...

美国确认三星、SK海力士已获无限期出口豁免 价格战无法避免 你支持国产吗？

半导体

制程或者技术不先进的，允许放行背后，必然带来的是相关产品的倾销，所以价格战必不可少。10月16日消息，美国商务部工业与安全局（BIS）公布新规，更新对三星和SK海力士的一般授权，将两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户”（VEUs）。被纳入该清单意味着三星和SK海力士此后无需额外获得许可，即可向其在华...

美国同意三星、SK海力士向其在中国的工厂供应半导体设备 无需另外取得单独许可

半导体

美国目前已做出决定在无需单独批准的情况下，三星电子和SK海力士可以向中国工厂供应美国半导体设备。据悉，无限期豁免将通过更新 Validated End-User（VEU）清单来取得。只要被纳入这份清单，就无需另外取得单独许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被永久暂停。三星方面表示，通过协调，三星电...

三星Exynos 2400参数公布 10核处理器 3.1GHz Cortex-X4超大核 RDNA3的Xclipse 940GPU LPDDR5X内存和UFS 4.1存储 支持双向卫星通信

三星Exynos 2400参数公布 支持双向卫星通信

三星

日前三星官方正式公布了将在该机上回归的Exynos 2400自研芯片的更多细节。在日前举办的System LSI Tech Day 2023活动中，三星展示了多项新的半导体技术和芯片，而其中的主角自然非Exynos 2400处理器莫属。据官方介绍，该芯片采用1+2+3+4的十核心设计，其中包括1个3...

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格 涨幅至少涨幅10%

半导体

据韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降...