三星展望HBM4内存的方向：用FinFET立体晶体管 无凸点键合(bumpless bongding)封装
除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从...
HBM4
HBM4内存接口位宽将达到2048bit 实现翻倍 采用16-Hi堆叠模式
据三星官方消息，面向高性能计算（HPC）的 HBM 内存迎来新进展，9.8Gbps 的 HBM3E 产品已开始向客户提供样品，而 HBM4 内存预计 2025 年推出。虽然目前还没有关于 HBM4 的正式规范，但台积电在 2023 OIP 论坛阿姆斯特丹厂上给出了部分制定中的标准。台积电称...