SK 海力士现已进入其第 5 代 1β 工艺 DRAM 的合作伙伴验证过程。
图为 SK 海力士第 4 代 1α 工艺内存条
据报道，在 SK 海力士的 1β 工艺大致相当于 12 纳米工艺。消息称，最新的 1β DRAM 的效率提高了 40% 以上，采用 EUV 光刻工艺制造。
2021 年，内存厂商出货 1α 工艺内存。对比上一代基于 1z 节点的 LPDDR4x 产品，1α 工艺为移动应用带来 40% 的内存密度提升和 20% 的能效提升，适用于需要长续航时间的手机应用，特别是拍摄照片和视频等需要占用大量内存的应用场景。