据 BusinessKorea 报道，三星电子将于 6 月 30 日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的 3 纳米半导体。
报道称，三星电子将于 6 月 30 日正式宣布大规模生产基于 GAA 的 3 纳米半导体。GAA 晶体管结构优于目前的 FinFET 结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。
如果消息属实的话，那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产 3 纳米芯片，后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3 纳米芯片。
今年早些时候，一些行业观察家提出担心，由于产量低的问题，三星电子可能推迟 3 纳米半导体的大规模生产。然而，这些担忧被证明是毫无根据的。
在竞争激烈的 3nm 制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极（GAA）晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子此前曾表示，采用全环绕栅极晶体管技术的 3nm 制程工艺，同当前的鳍式场效应晶体管架构相比，性能将提升 30%，能耗降低 50%，逻辑面积效率提升超过 45%。