分析师：DRAM内存、3D NAND闪存布局百家争鸣，长鑫、长江存储进展迅速
知名半导体分析机构 TechInsights 举办了线上“存储半导体进展与融合挑战：DRAM 和 NAND”（Memory Process and Integration Challenges: DRAM & NAND）研讨会。在存储芯片领域有着 30 多年从业经历的高级技术分析师 Jeon...
DRAM内存
韩研究所：韩国 DRAM 技术领先中国 5 年，NAND 闪存领先 2 年
据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年，NAND 闪存方面领先 2 年。该研究机构在 5 月 30 日表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）...