非晶铟镓锌氧化物

中科院微电子研究所在非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管领域取得重要进展 探索其尺寸的极限微缩是实现高密度三维集成的关键

半导体

近日，中科院微电子研究所在非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管领域取得重要进展。据悉，a-IGZO 被视为实现高密度三维集成的最佳候选沟道材料之一。三维集成技术的本质是为提高晶体管在芯片上的集成密度。因此，对于兼容后道工艺的 a-IGZO 晶体管来说，探索其尺寸的极限微缩是实现高密度三维集成的关键...