韩研究所：韩国 DRAM 技术领先中国 5 年，NAND 闪存领先 2 年
据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在 DRAM 技术方面比中国领先 5 年，NAND 闪存方面领先 2 年。该研究机构在 5 月 30 日表示，今年中国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）...
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GPD推出 XP Plus 安卓掌机：搭载主动散热天玑1200，1999 元起
今年 4 月份，GPD 宣布了新款 XP PLUS 安卓掌机，采用了联发科天玑 1200 方案，官方称主动散热的天玑 1200，跑分超骁龙 888。今天，GPD 宣布 XP Plus 国内 6 月 2 日预售，并且公布了价格：6+128GB：1999 元6+256GB：2199...