三星128层NAND产量削减40%-50% 倒逼国产长江存储涨价 SK海力士、美光已经提前涨价
据国内媒体报道称，为了让存储价格继续上涨，三星会进一步减产，这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到，三星电子计划到明年上半年为止，将NAND生产量削减规模扩大40%-50%，此举推高了NAND价格。从今年9月起，三星已将NAND Flash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%，主要集中在128...
闪存
三星计划明年将NAND闪存芯片报价再涨20% 表示是为了稳定行业价格
据媒体报道，在本季度将NAND闪存芯片报价调涨10%至20%之后，三星计划明年一季度与二季度再次逐季调涨20%。三星表示，此举是为了努力稳定NAND价格、达成明年上半年逆转市场等目标的一系列行动。根据近日三星向客户公布的四季度官价，移动DRAM合约价环比涨幅在11%-25%左右。NAND闪存方面，U...
三星2024年初量产基于其第九代V-NAND闪存产品的产品 DRAM芯片将实现11nm级制程
三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRA...
三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格 涨幅至少涨幅10%
据韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降...
三星从9月起已减少128层以下工艺NAND闪存50%产量 限制产能 遏制价格下跌
作为世界上最大的NAND闪存制造商，三星占据了约31%的市场份额，其一举一动直接影响着市场行情走向。研究机构最近的一份报告显示，三星从9月起已扩大NAND闪存的减产幅度至50%，主要集中在128层以下工艺的产品上。预计其他制造商也会跟进这一做法，在今年第四季度进一步减少NAND闪存的产量，目的是要加...
三星酝酿NAND存储晶圆涨价 合约报价或将回升
据 digitime 报道，三星计划提高 NAND 晶圆价格。此外，如果消费电子市场需求在下半年改善，NAND 晶圆合约报价或将回升。▲ 图源：三星报道称，韩国 NAND 存储器制造商三星和 SK 海力士已寻求将 NAND 闪存价格提高 3%-5% 以试探市场反应，并表示 NAND 闪存的价格已降至...
行业不景气 三星 SK海力士等韩国闪存 内存芯片厂商巨亏
存储芯片市场低迷，各大厂商库存也是不断升高，这让韩国不少厂商都很难受。韩国产业通商资源部2月1日发布的《1月进出口动向》资料显示，1月出口同比减少16.6%，进口同比减少2.6%，贸易逆差创下历史最高纪录。统计显示，1月出口同比减少16.6%，为462.7亿美元，进口同比减少2.6%，为589.5亿...
铠侠:旗下UFS 4.0闪存已在国内批量交付 安卓旗舰机使用年限将大幅提升
据铠侠官方消息，旗下 UFS 4.0 闪存已在国内率先批量交付，将成为新一代旗舰机型的标配。据介绍，UFS（通用闪存存储）是符合 JEDEC 标准的包含集成控制器的非易失性闪存设备，它开发用作嵌入式存储器解决方案的 e-MMC 高性能替代品，根据接口速度测试结果显示，UFS 版本 4.0 可以达到...
宇瞻科技称NAND Flash市场供过于求，预计年底前都无法缓解
存储器模块厂宇瞻科技召开法说会。总经理张家騉认为，随着客户缺料情况缓解，需求较稳健的 5G、AIoT 客户将启动拉货，看好第四季营运可望筑底回温。对于存储器市况，张家騉预期，DRAM 第四季随着缺料情况缓解，需求可能缓步成长；NAND Flash 供过于求的情况，预期到年底前都无法缓解。张家騉认为，...
第三季度NAND Flash价格跌幅将扩大至8%-13% 且跌势恐将延续至第四季度
TrendForce 集邦咨询发布报告称，由于供需失衡急速恶化，第三季度 NAND Flash 价格跌幅将扩大至 8%-13%，且跌势恐将延续至第四季度。TrendForce 集邦咨询在报告中指出，由于需求未见好转，NAND Flash 产出及制程转进持续，下半年市场供过于求加剧，包含笔电、电视与智...